La tecnologia con cui vengono realizzati i microsensori inerziali capacitivi (i.e., accelerometri e giroscopi) per l’elettronica di consumo è ormai matura e di uso corrente. Si basa sulla tecnologia dei microsistemi elettromeccanici (MEMS) e la lavorazione di wafer di silicio con uno strato di ossido sepolto (Silicon On Insulator - SOI). I sensori realizzati con tale tecnologia possono essere di interesse anche per il mercato aerospaziale, in virtù di caratteristiche peculiari, quali peso e consumo di energia ridotti. Tuttavia, i limiti geometrici imposti dal processo di fabbricazione MEMS-SOI rendono impossibile raggiungere le prestazioni necessarie per le applicazioni aerospaziali. Il progetto biennale TAB-SIM mira a superare tali limiti tecnologici mediante lo sviluppo di tecniche di autoassemblaggio e bloccaggio innovative da implementare in sensori inerziali micro-elettromeccanici. L’utilizzo dei meccanismi di auto-assemblaggio e bloccaggio sviluppati consentirà di raggiungere una maggiore miniaturizzazione di specifiche parti sensibili dei sensori MEMS, e, di conseguenza, anche prestazioni superiori rispetto agli standard correnti, rendendo così possibile la realizzazione di sensoristica inerziale.

Scheda TAB SIM