I materiali caratterizzati da un elevato valore della costante dielettrica, ovvero ad alto K, sono attualmente utilizzati nei processi di produzione di semiconduttori per sostituire il dielettrico di gate in biossido di silicio. L'implementazione di dielettrici di gate ad alto K consente un'ulteriore miniaturizzazione dei componenti microelettronici, come estensione della legge di Moore. Anche i componenti passivi ad alta frequenza, come le linee di trasmissione, i filtri e i risonatori, traggono vantaggio dall'uso di questi materiali in termini di miniaturizzazione. In questo progetto, intendiamo sviluppare dispositivi planari passivi a microonde in configurazione CPW (Co-Planar Waveguide) per applicazioni spaziali e avioniche, inclusi microsatelliti e sistemi aerei
senza pilota (UAS). I dispositivi sono progettati, fabbricati e caratterizzati per ottenere il miglior compromesso tra prestazioni elettromagnetiche e caratteristiche SWaP-C (dimensioni, peso e consumo energetico). La tecnologia che proponiamo ci permette di trarre vantaggio dall'utilizzo di materiali ad alto K per ottenere la miniaturizzazione dei dispositivi a microonde mantenendo al contempo le prestazioni elettriche.

Scheda HK MINCODEV