Affidamento della fornitura e dei servizi di fonderia inerenti la realizzazione di circuiti monolitici integrati in tecnologia Nitruro di Gallio (gaN) basati su dispositivi HEMT (High Electron Mobility Transistor) con gate lenght di 0.5 μm e 0,25 μm.
Procedura negoziata ai sensi di quanto previsto dall'art. 19 co. 1 lett. f) e dall'art. 27 del D. Lgs. 163/06 (Codice dei Contratti).
Scadenza: 14 ottobre 2014, ore 12.
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